FZ2400R12HE4P_B9 Infineon Vietnam

Tổng quan về FZ2400R12HE4P_B9

FZ2400R12HE4P_B9 là mô-đun IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) công suất cao thuộc dòng PrimePACK™ do Infineon Technologies sản xuất. Thiết bị được thiết kế để tối ưu hiệu suất chuyển mạch và giảm tổn thất năng lượng trong các hệ thống điện công nghiệp hiệu suất lớn như biến tần trung thế, hệ thống năng lượng tái tạo và điều khiển động cơ công suất cao.

Với khả năng chịu được dòng điện lớn lên đến 2400A và điện áp 1200V, mô-đun FZ2400R12HE4P_B9 là giải pháp lý tưởng cho các ứng dụng yêu cầu độ tin cậy cao, hoạt động bền bỉ và hiệu quả trong môi trường công nghiệp khắc nghiệt.

Thông số kỹ thuật chính (tham khảo)

• Model: FZ2400R12HE4P_B9

• Loại: IGBT Module – Half-Bridge Configuration

• Dòng điện định mức: 2400A

• Điện áp cực đại: 1200V

• Công nghệ chip: Trench/Fieldstop

• Dòng sản phẩm: PrimePACK™ 2

• Lớp cách nhiệt: Isolated Baseplate

• Nhiệt độ hoạt động: -40°C đến +150°C

Đặc điểm nổi bật

• Tổn thất thấp, hiệu suất cao: Công nghệ IGBT thế hệ mới giúp giảm thiểu tổn hao trong quá trình chuyển mạch.

• Thiết kế nhỏ gọn, tản nhiệt tối ưu: Dễ dàng tích hợp trong hệ thống công suất lớn.

• Độ tin cậy vượt trội: Phù hợp với các tiêu chuẩn khắt khe trong ngành công nghiệp nặng.

• Bảo vệ nội bộ hiệu quả: Được tích hợp cảm biến nhiệt độ và các cơ chế bảo vệ dòng điện.

• Tuổi thọ cao: Thiết kế bền bỉ, thích hợp cho vận hành liên tục trong môi trường tải cao.

Ứng dụng của FZ2400R12HE4P_B9

• Biến tần công nghiệp công suất lớn

• Hệ thống lưu trữ và chuyển đổi năng lượng (ESS, UPS, inverter)

• Tàu điện, xe điện công nghiệp, hệ thống truyền động điện

• Điện mặt trời & điện gió – inverter trung áp

• Hệ thống điều khiển động cơ công nghiệp nặng

• Máy nén, HVAC, hệ thống bơm công suất cao

Infineon Việt Nam